硅旋轉(zhuǎn)靶采用噴涂或燒結(jié)綁定工藝制得，可生產(chǎn)最大長(zhǎng)度4000mm，厚度根據(jù)客戶要求定制。
硅平面靶分單晶和多晶，通過直拉晶體生長(zhǎng)方法生產(chǎn)，通常綁定在銅背板上一起使用。

純度：99.99-99.999%，電阻率（20°C）: 0.01-400Ω.cm
應(yīng)用領(lǐng)域：用于制作SiO2/Si3N4膜，主要用于光學(xué)玻璃、觸摸屏之AR膜系、LOW-E鍍膜玻璃、半導(dǎo)體電子、平板液晶顯示器、太陽能電池板、裝飾和功能鍍膜工業(yè)、抗腐蝕抗磨損（表面改性）等領(lǐng)域。

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